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A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2028USS
10,000
f = 1MHz
10,000
1,000
T A = 150°C
1,000
100
C iss
C oss
C rss
100
10
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
1
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
Fig. 9 Typical Total Capacitance
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = 15V
I D = 9.4A
0
0
5
10 15 20 25
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMN2028USS
Document number: DS32075 Rev. 3 - 2
6 of 8
www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
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